設計偏置電路之前
發布時間:2012/5/14 20:55:52 訪問次數:571
由于V BE一0.6V，所以為了將Tri的發CA91C142D-33CE射極直流電位(RE十R3上的壓降)取為2V，Tri的基極電位必須取作2.6V( =2V+O. 6V)。
此時，Tri的基極電位是電源電壓用Ri與R2進行分壓后的電位。所以R2的壓降取作2. 6V，Ri的壓降取為12. 4V( =15V-2.6V)就可以。
在晶體管的基極上流過的基極電流是集電極電流的l/hFE，假定hFE一200，則Tri的基極電流為0.OlmA。
在偏置電路Ri，R2中，有必要讓其預先流過使該基極電流可以忽略的足夠大的電流（如在偏置電路中流過的電流小，則由于基極電流的影響，基極偏置屯壓，即基極的直流電位偏離設定值很大）。
此時，Tri的基極電位是電源電壓用Ri與R2進行分壓后的電位。所以R2的壓降取作2. 6V，Ri的壓降取為12. 4V( =15V-2.6V)就可以。
在晶體管的基極上流過的基極電流是集電極電流的l/hFE，假定hFE一200，則Tri的基極電流為0.OlmA。
在偏置電路Ri，R2中，有必要讓其預先流過使該基極電流可以忽略的足夠大的電流（如在偏置電路中流過的電流小，則由于基極電流的影響，基極偏置屯壓，即基極的直流電位偏離設定值很大）。
由于V BE一0.6V，所以為了將Tri的發CA91C142D-33CE射極直流電位(RE十R3上的壓降)取為2V，Tri的基極電位必須取作2.6V( =2V+O. 6V)。
此時，Tri的基極電位是電源電壓用Ri與R2進行分壓后的電位。所以R2的壓降取作2. 6V，Ri的壓降取為12. 4V( =15V-2.6V)就可以。
在晶體管的基極上流過的基極電流是集電極電流的l/hFE，假定hFE一200，則Tri的基極電流為0.OlmA。
在偏置電路Ri，R2中，有必要讓其預先流過使該基極電流可以忽略的足夠大的電流（如在偏置電路中流過的電流小，則由于基極電流的影響，基極偏置屯壓，即基極的直流電位偏離設定值很大）。
此時，Tri的基極電位是電源電壓用Ri與R2進行分壓后的電位。所以R2的壓降取作2. 6V，Ri的壓降取為12. 4V( =15V-2.6V)就可以。
在晶體管的基極上流過的基極電流是集電極電流的l/hFE，假定hFE一200，則Tri的基極電流為0.OlmA。
在偏置電路Ri，R2中，有必要讓其預先流過使該基極電流可以忽略的足夠大的電流（如在偏置電路中流過的電流小，則由于基極電流的影響，基極偏置屯壓，即基極的直流電位偏離設定值很大）。
上一篇：決定增益的RE.R3與R2
上一篇：決定R1與R2
相關技術資料- 11-16單片機選型及軟硬件設計
- 5-14設計偏置電路之前
公網安備44030402000607
