C1、C2是隔斷柵極或者漏極的直流TPS767D318PWP電壓僅允許交流成分通過的電容。它將輸入信號與電路、電路與電路連接起來，所以叫做耦合電容。
    如圖3.8所示，在Cl與輸入阻抗(Ri與R2的并聯值)間、C2與輸出端負載RL間，分別形成了高通濾波器——僅允許高頻通過的濾波器。

    如果Cl和C2值較小，濾波的效果會使低頻難以通過，振幅降低。這里取Cl一C2=lOtjtF。

    圖3.1所示的電路中，如果設FET的輸入阻抗為無限大（前面曾經講到，由于FET沒有柵極電流，所以輸入阻抗可以認為無限大），電源交流接GND（相當于電源與GND連接），所以電路的交流輸入阻抗就是Ri與R2的并聯值Ri∥R2(在該電路中為17.6kQ)。
    因此，C1形成的高通濾波器的截止頻率fe（振幅特性降低3dB-即降低11,的頻率）為

              
 
    C2形成的高通濾波器的截止頻率因輸出端連接的負載（例如，次級電路的輸入阻抗）而變化，所以必須預先考慮連接什么樣的負載。
    這個電路沒有具體的設計指標。但是在一般的電路中作為頻率特性規定有低頻截止頻率，所以在實際的電路設計中是根據截止頻率fe（與輸入阻抗、負載電阻）逆向計算Cl、C2值。