圖3.21是FET的內部電容。在FET內MSP430F2132IPWR部各極間的極間電容有CGD、CGS和CDS。
    圖3.22(a)是考慮到這些電容時的源極接地放大電路。這里的主要問題是柵極一漏極間電容CGD。
    設柵極的交流輸入電壓為VI由于漏極的輸出電壓為-vi .AV（負號表示相位相反），所以CGD兩端的電壓為vi(l+AV)（- vi．AV）。因此，流過CGD的電流是只加可，時的1+AV倍（因為CGD兩端加電壓為vi(l+A，))。

                
    因此，如果從柵極端看CGD，看到的是具有1+AV倍電容量的電容（因為加相同的電壓Vi時CGD流量級的小電容）
    過vi(l+A，)倍的電流）。這就是所謂的米勒(Mill-er)效應所產生的現象。
    由于這種米勒效應，源極接地放大電路的輸入電容Ci變為1+A，倍的CGD與CGS之和。這樣，Ci寫信號源的輸出阻抗Rge。就構成了低通濾波器。所以，在高頻范圍電路的放大倍數降低了。
    在FET的數據表中，將CGD叫做反饋電容Crss，將CGS叫做輸入電容Ciss。