飛兆半導W25X40BVSNIG體公司(Fairchild Semiconductor)開發出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，以滿足設計人員對降低傳導損耗和開關損耗的需求。該器件經專門設計，以最大限度地減小傳導損耗和開關節點振鈴，并提升DC-DC轉換器的整體效率。FDMS86500L是采用行業標準5mm×6mm Power 56封裝的器件，它結合了先進的封裝技術和硅技術，顯著降低了導通阻抗，實現更低的傳導損耗。該器件還具有更好的品質因數、高效率和低功耗的特色，以期滿足效率標準和法規的要求。
    FDMS86500L使用屏蔽柵極功率MOSFET技術，提供極低的開關損耗，結合該器件的低傳導損耗，可為設計人員提供其所需的更高的功率密度。它還采用下一代增強型體二極管技術，以實現軟恢復、MSL1穩固封裝設計。

    ADI推出面向通信應用的寬帶無源混頻器：單通道混頻器ADL5811和雙通道混頻器ADL5812。這兩款混頻器具有出色的線性度、低失真、低噪聲和卓越的寬帶頻率性能。新器件集成一個寬帶LO（本振）放大器、一個可編程RF巴倫、一個高線性度混頻器內核、一個可編程IF濾波器和一個IF放大器，為設計多頻段、單板接收機提供了可能。
    該混頻器在單個器件中支持寬達700—2800MHz的頻率范圍，其輸入三階交調為24dBm，SSB噪聲系數為1 1dB，功率轉換增益為7dB。這些性能規格在整個工作頻率范圍內保持穩定。ADL5811和ADL58T2無源混頻器設計用于寬帶無線基礎設施應用和軟件定義無絨電應用，包括多頻段／多標準蜂窩基站接收機、寬帶無線電鏈路下變頻器、多模式蜂窩中繼器和微微蜂窩應用。