在本征激發產生電子空穴對的同時，自由GRM155R71H391KA01D電子在運動中有可能和空穴相遇，重新被共價鍵束縛起來，電子空穴對消失，這種現象稱為“復合”。激發和復合現象是相互矛盾的，最終處于動態平衡時本征激發的電子空穴對很少，所以導致其導電能力非常弱，按近絕緣體，因此一般不直接使用本征半導體。半導體材料具有兩個非常重要的特性：(1)熱敏和光敏特性（當溫度升高或者光照增強時，其導電能力大大增強）；(2)摻雜特性（在純凈的半導體中摻人少量的雜質后，半導體的導電能力大大增強），所以常用的半導體材料實際上都是經過摻雜后形成的雜質半導體。按照摻人雜質的不同，雜質半導體可分為N型和P型兩種。
    1．N型半導體
    在純凈的硅（或鍺）晶體中，摻入少量磷（或其他五價元素，如砷），由于摻入的元素數量較少，因此整個晶體結構基本上保持不變，只是某些位置上的硅原子被磷原子替代。磷原子五個價電子中的四個與硅原子形成共價鍵結構，而多余一個價電子處于共價鍵之外，很容易掙脫原子核的束縛成為自由電子。這樣，半導體中自由電子數目明顯增加，大大提高了半導體的導電性能。同時空穴數量遠少于自由電子數量，故自由電子被稱為多數載流子（簡稱多子），空穴被稱為少數載流子（簡稱少子）。這種雜質半導體主要以電子導電為主，稱為電子半導項目1設計與制作線性集成直流穩壓電源體，簡稱N型半導體，如圖1-15(a)所示。
   2．P型半導體
   在純凈的硅（或鍺）晶體中，摻人少量硼（或其他三價元素，如鋁），硼原子與周圍的硅原子形成共價鍵時，會因缺少一個價電子而在共價鍵中出現一個空位，這個空位很容易被相鄰的價電子填補，而使失去價電子的共價鍵出現一個空穴。這樣，在雜質半導體中出現大量空穴，空穴被稱為多數載流子，自由電子被稱為少數載流子。這種雜質半導體主要靠空穴導電，稱為空穴半導體，簡稱P型半導體，如圖1-15(b)所示。

    必須指出的是，不論是N型半導體還是P型半導體，雖然都是一種載流子占多數，但整個晶體中正負電荷數量相等，呈現電中性。