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為使電路正常工作所加入的各元件

發布時間:2012/8/18 13:22:02 訪問次數:592

    C3、C4是OP放大器的電源去UC3458P耦電容器。這里采用C3=C4=lOruF/25V的電解電容器。
    C5和C6是防止三端穩壓電源發生振蕩所接入的電容。三端穩壓電源也可以認為是與OP放大器相同的負反饋放太電路,為了不發生振蕩同樣也需要有電源去耦電容器。這里使用的疊層陶瓷電容器。
    R7和R8是防止MOSFET發生振蕩的重要電阻。由于MOSFET的柵極輸入阻抗非常高,所以給柵極串聯一個小的電阻不會產生不利影響。但是在高頻范圍MOSFET的輸入阻抗將降低。而且在某一頻率范圍往往會成為負阻——其大小是負值的電阻成分,會發生振蕩(關于負阻與振蕩的關系將在第14章介紹)。
    在FET的柵極插入電阻的作用就是抵消負阻成分防止振蕩的發生。這個電阻通常取數十至數百歐。在這里取值為R7 =R8 =lOOfl。
    C7的作用是對Tr1.交流旁路,使得從Tr2、Tr3的柵極看進去的阻抗相等。這樣能夠使MOSFET的輸入電容與前級輸出阻抗形成的低通濾波器的截止頻率在Tr:一側和Tr3 -側基本相等。其結果,在高頻范圍能夠使Tr2和Tr。正確地互補工作,改善失真率。
    C7的值愈大愈好。不過過于大的話電容器的體積也會增大,所以取C7=0.lUF的薄層電容器。
    C3、C4是OP放大器的電源去UC3458P耦電容器。這里采用C3=C4=lOruF/25V的電解電容器。
    C5和C6是防止三端穩壓電源發生振蕩所接入的電容。三端穩壓電源也可以認為是與OP放大器相同的負反饋放太電路,為了不發生振蕩同樣也需要有電源去耦電容器。這里使用的疊層陶瓷電容器。
    R7和R8是防止MOSFET發生振蕩的重要電阻。由于MOSFET的柵極輸入阻抗非常高,所以給柵極串聯一個小的電阻不會產生不利影響。但是在高頻范圍MOSFET的輸入阻抗將降低。而且在某一頻率范圍往往會成為負阻——其大小是負值的電阻成分,會發生振蕩(關于負阻與振蕩的關系將在第14章介紹)。
    在FET的柵極插入電阻的作用就是抵消負阻成分防止振蕩的發生。這個電阻通常取數十至數百歐。在這里取值為R7 =R8 =lOOfl。
    C7的作用是對Tr1.交流旁路,使得從Tr2、Tr3的柵極看進去的阻抗相等。這樣能夠使MOSFET的輸入電容與前級輸出阻抗形成的低通濾波器的截止頻率在Tr:一側和Tr3 -側基本相等。其結果,在高頻范圍能夠使Tr2和Tr。正確地互補工作,改善失真率。
    C7的值愈大愈好。不過過于大的話電容器的體積也會增大,所以取C7=0.lUF的薄層電容器。

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