電路的設計首先求光耦合器集SN74HC175N電極電阻Rc的值。光禍合器的集電極中，即使晶體管處于截止狀態仍然有弘A量級的暗電流流動。所以如果R。值不是小到某種程度的話，就會降低晶體管在截止狀態的輸出電壓。這里設定Rc=4.7kQ，所以IC≈lmA。
    其次是確定流過LED的電流IF。這需要在考慮CTR后才能求得。6N136的CTR是20%（根據數據表），所以可以設定IF=5mA(≈lmA/20%)。由于CTR隨溫度和使用時間的變化較大，所以通常留有2至數十倍的余量。圖8.28的電路中，留有3倍的余量，設定IF=15mA。

    LED的正向電壓降VF是1.5V（根據數據表），所以RL=220Q(約為(5V-1.5V)／15mA)(假定CMOS倒相器的輸出電壓是OV)。由于流過LED的電流大(15mA)，所以可以并聯接續CMOS倒相器，以提高負載的驅動能力。
    圖8.28的電路中是用CMOS倒相器驅動LED的陰極，所以當輸入處于H電平時，光耦合器的晶體管處于導通狀態，輸出H電平。希望反邏輯時，如圖8.29所示可以用CMOS倒相器驅動LED的陽極（這樣一來，當輸入為H電平時，光耦合器的晶體管處于截止狀態，所以輸出L電乎）。

    圖8.30比較特殊，是一例將光耦合器用于恒壓電源的過電流檢出的電路。這個電路用串聯插入的3Q電阻R，檢出恒壓電源的輸出電流，通過它上面的電壓降使光耦合器PC812（夏普）的LED發光，從而獲得檢出信號。圖8.30中的電路常數是當電源的輸出電流為500mA時過電流檢出輸出為L電平。但是，由于光耦合器的CTR隨溫度和使用時間的變化大，所以輸出電流的檢出值不能夠準確地設定為500mA(即使通過調整R，正確地設定了輸出電流，由于環境濕度的變化或者長期使用的原因也會使CTR變化，從而偏離設定值)。