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MOS非門電路

發布時間:2012/12/6 20:17:10 訪問次數:3292

    圖8-14(a)和圖8-14(b)都是耗盡型MOS管,它們的導通和2SC4901YK-TR-E-Q截止判斷方法同三極管一樣。如圖8-14(a)所示,MOS管箭頭向里、柵極為低電平(G=0)時,管子導通,可理解成柵極低電平、箭頭向里有利于電流流動,所以管子導通;當G=1時,由于柵極為高電平,不利于電流流動,所以此時管子截止。如圖8-14(b)所示,管子箭頭向外,當G=O時不利于電流的流動,所以管子截止:當G=1時,有利于電流流動,此時管子導通。

          
    如圖8--14(c)和圖8-14(d)所示,它們都是增強型MOS管,對它們的導通、截止判斷方法與前面正好相反。如圖8-14(c)所示,當G=O時,以箭頭上判斷是有利于電流流動的,管子應該導通,但判斷方法同上恰好相反,此時管子應截止;同樣的道理,當G=1時,管子導通。如圖8-14(d)所示,當G=O時,管子導通;當G=l時,管子截止。
     MOS非門電路的優點是輸入端是絕緣的,即直流電阻很大,這樣對直流電源的消耗很小,功耗很小。此外,直流工作電壓范圍較寬,可達3~12V。
     MOS非門電路都已集成電路化,在使用MOS集成電路時要注意幾點:輸入端不能懸空,因為懸空后輸入端會感應靜電,擊穿柵極而損壞集成電路,同時也會受到干擾而造成邏輯混亂,對于不使用的引腳根據邏輯功能接高電平(如與非門電路),或是接低電平(如或門電路、或非門電路)。另外,在使用中集成電路的電源切不可接反。

    圖8-14(a)和圖8-14(b)都是耗盡型MOS管,它們的導通和2SC4901YK-TR-E-Q截止判斷方法同三極管一樣。如圖8-14(a)所示,MOS管箭頭向里、柵極為低電平(G=0)時,管子導通,可理解成柵極低電平、箭頭向里有利于電流流動,所以管子導通;當G=1時,由于柵極為高電平,不利于電流流動,所以此時管子截止。如圖8-14(b)所示,管子箭頭向外,當G=O時不利于電流的流動,所以管子截止:當G=1時,有利于電流流動,此時管子導通。

          
    如圖8--14(c)和圖8-14(d)所示,它們都是增強型MOS管,對它們的導通、截止判斷方法與前面正好相反。如圖8-14(c)所示,當G=O時,以箭頭上判斷是有利于電流流動的,管子應該導通,但判斷方法同上恰好相反,此時管子應截止;同樣的道理,當G=1時,管子導通。如圖8-14(d)所示,當G=O時,管子導通;當G=l時,管子截止。
     MOS非門電路的優點是輸入端是絕緣的,即直流電阻很大,這樣對直流電源的消耗很小,功耗很小。此外,直流工作電壓范圍較寬,可達3~12V。
     MOS非門電路都已集成電路化,在使用MOS集成電路時要注意幾點:輸入端不能懸空,因為懸空后輸入端會感應靜電,擊穿柵極而損壞集成電路,同時也會受到干擾而造成邏輯混亂,對于不使用的引腳根據邏輯功能接高電平(如與非門電路),或是接低電平(如或門電路、或非門電路)。另外,在使用中集成電路的電源切不可接反。

相關技術資料
12-6MOS非門電路

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