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NMOS與非門電路

發布時間:2012/12/7 19:15:21 訪問次數:10860

    只要輸入端A、B、C中有一個XC95288XL-10TQG144C是低電平,VT1管就導通,VT1管的導通能抽走VT2基極電荷,使VT2管迅速脫離飽和導通而轉入截止狀態。VT2截止后其發射極為低電平,集電極為高電平,此時VT3管基極因高電平而導通,直流電壓+V經R4、導通管VT3集電極和發射極、導通的二極管VD4加到VT4管集電極。由于此時VT4管的基極為低電平,VT4管處于截止狀態,這樣VT4管集電極為高電平,這一門電路輸出端F=l。
    電路中,電阻R4的作用是在輸出端F由低電平變為高電平時限制瞬間電流的峰值。輸入端的二極管VD1、VD2和VD3對直流電路沒有影響,它們的作用是減小負極性的瞬間干擾,并使輸入端電壓限制在0.7V以內。
    圖8-18所示是由NMOS管構成的與非門電路,這是一個兩個輸入端A、B的與非門電路。電路中,VT1管接成常導通狀態,VT2和VT3管串聯,F是與非門的輸出端。

            
    這一電路的工作原理是:當兩個輸入端A和B同時為高電平l時,VT2和VT3管同時導通,此時輸出端F=0:當輸入端A或B只要有一個為0時,如A=O,VT2管截止,由于VT2和VT3管串聯,只要其中一只管子截止,輸出端F= la通過上述分析可知,這一電路可以實現與非邏輯,所以是與非門電路。

    只要輸入端A、B、C中有一個XC95288XL-10TQG144C是低電平,VT1管就導通,VT1管的導通能抽走VT2基極電荷,使VT2管迅速脫離飽和導通而轉入截止狀態。VT2截止后其發射極為低電平,集電極為高電平,此時VT3管基極因高電平而導通,直流電壓+V經R4、導通管VT3集電極和發射極、導通的二極管VD4加到VT4管集電極。由于此時VT4管的基極為低電平,VT4管處于截止狀態,這樣VT4管集電極為高電平,這一門電路輸出端F=l。
    電路中,電阻R4的作用是在輸出端F由低電平變為高電平時限制瞬間電流的峰值。輸入端的二極管VD1、VD2和VD3對直流電路沒有影響,它們的作用是減小負極性的瞬間干擾,并使輸入端電壓限制在0.7V以內。
    圖8-18所示是由NMOS管構成的與非門電路,這是一個兩個輸入端A、B的與非門電路。電路中,VT1管接成常導通狀態,VT2和VT3管串聯,F是與非門的輸出端。

            
    這一電路的工作原理是:當兩個輸入端A和B同時為高電平l時,VT2和VT3管同時導通,此時輸出端F=0:當輸入端A或B只要有一個為0時,如A=O,VT2管截止,由于VT2和VT3管串聯,只要其中一只管子截止,輸出端F= la通過上述分析可知,這一電路可以實現與非邏輯,所以是與非門電路。

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