單向晶閘管的結構
發布時間:2012/12/17 19:52:03 訪問次數:1740
單向晶閘管是一種PNPN四層結構的VSP1900DBTR半導體器件,其結構如圖1.102所示。它具有三個PN結,有三根引出電極,分別是陽極A、陰極K、控制極(又稱門極)G。控制極從P型硅層上引出,專供觸發晶閘管用。
單向晶閘管的圖形符號、文字符號和標注
單向晶閘管的圖形符號如圖1.103所示,文字符號是VS。國外常直接標注為SCR( Silicon Controlled Rectifier)。
在單向晶閘管的圖形符號中,標注“A”的一端是陽極、“K”是陰極、
“G”是控制極。
單向晶閘管的特性和用途
單向晶閘管的特性是,當有觸發信號加在控制極而使晶閘管導通后,即使去掉觸發信號,晶閘管仍能維持正常導通狀態。欲使已經導通的晶閘管關斷,必須使導通的正向電流(陽極電流)低于其維持電流,或將外加電壓減小到一定程度,甚至減小剄零或者反向,才能夠強迫其關斷截止。
單向晶閘管廣泛用于可控整流、自動控制、報警、逆變和開關電源中。
雙向晶閘管的結構
雙向晶閘管也稱為三端雙向可控硅交流開關( TRIAC),是目前較理想的交流開關器件。
雙向晶閘管屬于NPNPN五層結構的半導體器件,其結構如圖
1.104所示。它實質上也可看成是由一個控制極控制的兩只反向并聯的單向晶閘管構成。它有三根引出電極,三個電極分別為第一電極第二電極Tz、控制極G。
單向晶閘管是一種PNPN四層結構的VSP1900DBTR半導體器件,其結構如圖1.102所示。它具有三個PN結,有三根引出電極,分別是陽極A、陰極K、控制極(又稱門極)G。控制極從P型硅層上引出,專供觸發晶閘管用。
單向晶閘管的圖形符號、文字符號和標注
單向晶閘管的圖形符號如圖1.103所示,文字符號是VS。國外常直接標注為SCR( Silicon Controlled Rectifier)。
在單向晶閘管的圖形符號中,標注“A”的一端是陽極、“K”是陰極、
“G”是控制極。
單向晶閘管的特性和用途
單向晶閘管的特性是,當有觸發信號加在控制極而使晶閘管導通后,即使去掉觸發信號,晶閘管仍能維持正常導通狀態。欲使已經導通的晶閘管關斷,必須使導通的正向電流(陽極電流)低于其維持電流,或將外加電壓減小到一定程度,甚至減小剄零或者反向,才能夠強迫其關斷截止。
單向晶閘管廣泛用于可控整流、自動控制、報警、逆變和開關電源中。
雙向晶閘管的結構
雙向晶閘管也稱為三端雙向可控硅交流開關( TRIAC),是目前較理想的交流開關器件。
雙向晶閘管屬于NPNPN五層結構的半導體器件,其結構如圖
1.104所示。它實質上也可看成是由一個控制極控制的兩只反向并聯的單向晶閘管構成。它有三根引出電極,三個電極分別為第一電極第二電極Tz、控制極G。
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