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反向擊穿電壓

發布時間:2013/1/18 19:53:21 訪問次數:1064

    (1)在圖5.13(a)中,x的電位ATMEGA32U4-MU最高,它是集電極C。y與z之間的電壓為0. 6V,可確定是硅管發射結電壓,因此,y就是基極B,z就是發射極E,它符合Vc>VB>VE(vx>vy>vz)的關系,而且也明確了此管為NPN型硅管,其正確答案如圖(c)中所示。
    (2)同樣理由,可判斷圖5.13 (b)中的VT2管的集電極C為y,x與z分別為發射極E和基極B,它們符合VE>VB>VC(vx>vy>vz)的關系。由發射結電壓UBE=-0. 3V,可知VT2是PNP型鍺管。其正確答案如圖(d)所示。
    例題5.2  試根據圖5. 14所示管子的對地電位,判斷管子是硅管還是鍺管?處于哪種工作狀態?
    解:(1)在圖5.14 (a)中,晶體管為NPN型。由發射結電壓UBE=0.7V,知道處于正偏,且是硅管,但是VB>Vc(0.7 >0.3)V,因此集電結也處于正向偏置。所以,此NPN型硅管處于飽和狀態。

            
    (2)在圖5.14 (b)中,晶體管為Pl\IP型。發射結電壓UBE=-0. 3V為正向偏置,所以該管為鍺管,又VB>VC,集電結為反向偏置。所以,此PNP型鍺管工作在放大狀態。
    (3)在圖5.14 (c)中,發射結電壓VBF=+0.6-0=+0.6V注意,此管為PNP管)而處于反偏,集電結也是反偏(VB>VC)。因此,管子處于截止狀態。此處無法判斷其為硅管還是鍺管。
    例題5.3  某三極管的輸出特曲線如圖5.15所示。試計算(1) Qi點的直流電流放大系數屆;(2) Qi和Q2兩點間的交流電流放大系數盧。
    解:(1)在Qi點處,B=40riA=0.04mA

             

    (1)在圖5.13(a)中,x的電位ATMEGA32U4-MU最高,它是集電極C。y與z之間的電壓為0. 6V,可確定是硅管發射結電壓,因此,y就是基極B,z就是發射極E,它符合Vc>VB>VE(vx>vy>vz)的關系,而且也明確了此管為NPN型硅管,其正確答案如圖(c)中所示。
    (2)同樣理由,可判斷圖5.13 (b)中的VT2管的集電極C為y,x與z分別為發射極E和基極B,它們符合VE>VB>VC(vx>vy>vz)的關系。由發射結電壓UBE=-0. 3V,可知VT2是PNP型鍺管。其正確答案如圖(d)所示。
    例題5.2  試根據圖5. 14所示管子的對地電位,判斷管子是硅管還是鍺管?處于哪種工作狀態?
    解:(1)在圖5.14 (a)中,晶體管為NPN型。由發射結電壓UBE=0.7V,知道處于正偏,且是硅管,但是VB>Vc(0.7 >0.3)V,因此集電結也處于正向偏置。所以,此NPN型硅管處于飽和狀態。

            
    (2)在圖5.14 (b)中,晶體管為Pl\IP型。發射結電壓UBE=-0. 3V為正向偏置,所以該管為鍺管,又VB>VC,集電結為反向偏置。所以,此PNP型鍺管工作在放大狀態。
    (3)在圖5.14 (c)中,發射結電壓VBF=+0.6-0=+0.6V注意,此管為PNP管)而處于反偏,集電結也是反偏(VB>VC)。因此,管子處于截止狀態。此處無法判斷其為硅管還是鍺管。
    例題5.3  某三極管的輸出特曲線如圖5.15所示。試計算(1) Qi點的直流電流放大系數屆;(2) Qi和Q2兩點間的交流電流放大系數盧。
    解:(1)在Qi點處,B=40riA=0.04mA

             

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1-18反向擊穿電壓

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