MOS型FET。如圖2. 33(b)所示，MOS型FET是在P型半導俸LF353H中形成兩個N型半導體，將表面氧化形成絕緣良好的氧化絕緣膜，再在其上安裝金屬作為柵極而構成的。因此，此FET在結構上依次形成金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)，取其首字母稱為MOS型。
    由此，如圖2. 33(b)所示，在漏極和源極之間加電壓時，由于反向電壓加在PN結上而形成耗盡層。這時在柵極和P型襯底之間加正電壓時，由于柵極的正電壓，在下側靠近柵極的耗盡層內，因靜電感應而生成電子。它成為載流子，并形成了電流的通路。這時電子構成溝道，所以稱為N型溝道。襯底使用N型半導體時，空穴構成溝道，所以稱為P型溝道。而且，MOS型FET有兩種類型：一種是柵極上即使不加電壓，漏極和源極之間也有電流流動的耗盡型；另一種是如果柵極上不加電壓，漏極和源極之間就沒有電流流動的增強型。表2. 18中示出各種FET的名稱和圖形符號。
     表2.  18各種FET的名稱和圖形符號