PN結二極管
發布時間:2013/2/22 19:53:33 訪問次數:2076
半導體的p型區和n型區相CAT824STDI-GT3連接的器件稱為pn結二極管。二極管(diode)這個名稱是從陽極A(anode)和陰極C(cathodic)這兩個電極組合而來的。顯示的是pn結二極管的電路符號。
(a)表示硅pn結二極管兩電極之間沒有電壓時硅內部的狀態。在交界面附近，n型區的電子和p型區的空穴相抵消，產生幾乎沒有載流子的區域（耗盡層）。耗盡層內n型區產生正電荷(+)，p型區產生負電荷（一），在耗盡層內產生內部電勢。
(b)是陽極加正電壓，陰極加負電壓時的狀態。這時內部電勢減少，耗盡層內n型區域進入的電子和p型區域進入的空穴再次結合，產生從陽極流向陰極的電流。由于這個電壓是正向電壓，所以把此時的電流稱為正向電流。
(c)是。(b)加載了逆向電壓時的狀態。此時，n型區域的電子在陽極側、p型區域的空穴在陰極側被吸引，由于耗盡層的寬
度變大，兩終端間沒有電流流過。這個電壓稱為逆向電壓。
從以上的敘述可以看出，在硅pn結二極管兩端施加電壓(V)和電流的特征如 所示。pn結二極管具有只對一個方向的電
壓產生電流的整流作用，對于逆向電壓不會產生電流，只會形成p型區域和n型區域電絕緣的分離作用，并且我們還可以知道肖施加逆向電壓時，位于耗盡層（絕緣物）兩側的p型區域和n型區域，儲存了很多電荷，起到了電容的作用。
(a)表示硅pn結二極管兩電極之間沒有電壓時硅內部的狀態。在交界面附近，n型區的電子和p型區的空穴相抵消，產生幾乎沒有載流子的區域（耗盡層）。耗盡層內n型區產生正電荷(+)，p型區產生負電荷（一），在耗盡層內產生內部電勢。
(b)是陽極加正電壓，陰極加負電壓時的狀態。這時內部電勢減少，耗盡層內n型區域進入的電子和p型區域進入的空穴再次結合，產生從陽極流向陰極的電流。由于這個電壓是正向電壓，所以把此時的電流稱為正向電流。
(c)是。(b)加載了逆向電壓時的狀態。此時，n型區域的電子在陽極側、p型區域的空穴在陰極側被吸引，由于耗盡層的寬
度變大，兩終端間沒有電流流過。這個電壓稱為逆向電壓。
從以上的敘述可以看出，在硅pn結二極管兩端施加電壓(V)和電流的特征如 所示。pn結二極管具有只對一個方向的電
壓產生電流的整流作用，對于逆向電壓不會產生電流，只會形成p型區域和n型區域電絕緣的分離作用，并且我們還可以知道肖施加逆向電壓時，位于耗盡層（絕緣物）兩側的p型區域和n型區域，儲存了很多電荷，起到了電容的作用。
半導體的p型區和n型區相CAT824STDI-GT3連接的器件稱為pn結二極管。二極管(diode)這個名稱是從陽極A(anode)和陰極C(cathodic)這兩個電極組合而來的。顯示的是pn結二極管的電路符號。
(a)表示硅pn結二極管兩電極之間沒有電壓時硅內部的狀態。在交界面附近，n型區的電子和p型區的空穴相抵消，產生幾乎沒有載流子的區域（耗盡層）。耗盡層內n型區產生正電荷(+)，p型區產生負電荷（一），在耗盡層內產生內部電勢。
(b)是陽極加正電壓，陰極加負電壓時的狀態。這時內部電勢減少，耗盡層內n型區域進入的電子和p型區域進入的空穴再次結合，產生從陽極流向陰極的電流。由于這個電壓是正向電壓，所以把此時的電流稱為正向電流。
(c)是。(b)加載了逆向電壓時的狀態。此時，n型區域的電子在陽極側、p型區域的空穴在陰極側被吸引，由于耗盡層的寬
度變大，兩終端間沒有電流流過。這個電壓稱為逆向電壓。
從以上的敘述可以看出，在硅pn結二極管兩端施加電壓(V)和電流的特征如 所示。pn結二極管具有只對一個方向的電
壓產生電流的整流作用，對于逆向電壓不會產生電流，只會形成p型區域和n型區域電絕緣的分離作用，并且我們還可以知道肖施加逆向電壓時，位于耗盡層（絕緣物）兩側的p型區域和n型區域，儲存了很多電荷，起到了電容的作用。
(a)表示硅pn結二極管兩電極之間沒有電壓時硅內部的狀態。在交界面附近，n型區的電子和p型區的空穴相抵消，產生幾乎沒有載流子的區域（耗盡層）。耗盡層內n型區產生正電荷(+)，p型區產生負電荷（一），在耗盡層內產生內部電勢。
(b)是陽極加正電壓，陰極加負電壓時的狀態。這時內部電勢減少，耗盡層內n型區域進入的電子和p型區域進入的空穴再次結合，產生從陽極流向陰極的電流。由于這個電壓是正向電壓，所以把此時的電流稱為正向電流。
(c)是。(b)加載了逆向電壓時的狀態。此時，n型區域的電子在陽極側、p型區域的空穴在陰極側被吸引，由于耗盡層的寬
度變大，兩終端間沒有電流流過。這個電壓稱為逆向電壓。
從以上的敘述可以看出，在硅pn結二極管兩端施加電壓(V)和電流的特征如 所示。pn結二極管具有只對一個方向的電
壓產生電流的整流作用，對于逆向電壓不會產生電流，只會形成p型區域和n型區域電絕緣的分離作用，并且我們還可以知道肖施加逆向電壓時，位于耗盡層（絕緣物）兩側的p型區域和n型區域，儲存了很多電荷，起到了電容的作用。
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