晶體三極管的結構是怎樣的
    在一塊半導體芯片上制造兩個符合K4T1G164QD-ZLCC要求的PN結，就構成了一個晶體三極管。通俗地說，晶體三極管內部為由P型半導體和N型半導體組成的三層結構，根據分層次序分為NPN型和PNP型兩大類。如圖1-19所示為PNP型晶體三極管和NPN型晶體三極管的內部結構。
    晶體三極管的內部結構
    由圖1-19可見，不論PNP型晶體三極管還是NPN型晶體三極管，它們都有三個不同導電區域，中間部分稱為基區，兩端部分一個稱為發射區，另一個稱為集電區。發射區摻雜濃度高，因而多數載流子的濃度很高。基區很薄，而且摻雜濃度很低，因而載沆子濃度很低。集電區摻雜濃度也較低，它的載流子濃度低于發射區，所以集電極和發射極不能互換。晶體三極管的這種內部結構特點是晶體三極管能夠起放大作用的內部條件。每個導電區上各自引出一個電極，分別稱為基極、發射極、集電極，常用字母b、e、c表示。

          
    三層結構可以形成兩個PN結，在發射區與基區交界面處形成的PN結稱為發射結，集電區與基區交界面處形成的PN結稱為集電結。這兩個結好像是兩個串聯的背靠背晶體二極管，因此，e、或b、c之間都好像是一個晶體二極管，和晶體二極管一樣，同樣具有單向導電的性質。由于晶體三極管內部結構中有兩個具有單向導電性的PN結，因此可以作為開關組件使用，但同時晶體三極管還是一個放大組件。