測量大功率晶體三極管的飽和壓降
發布時間:2013/3/31 11:45:07 訪問次數:2814
①測量集電極與發射極之間MPC6041T-I/OT的飽和壓降UCES。將萬用表置于直流10V電壓擋，然后按如圖3-53所示連接好電路（圖中，E為12V直流電源，Rl、R2分別為20fl/ SW、200n／0. 25W電阻）。測試條件，t．為600mA，，b為60mA。對于PNP型晶體三極管，將萬用表按圖3-53(a)所示連接，即可測出UCES；對于NPN型晶體三極管，將萬用表按圖3-53 (b)所示連接，即可測出UCES。
②測量基極與發射極之間的飽和壓降UBES。測試電路如圖3-53所示，對于PNP型晶體三極管，紅表筆接C測試點，黑表筆接B測試點，即可測出UBES；對于NPN型晶體三極管，黑表筆接C洌試點，紅表筆接B測試點，即可測出UBES。
在測量UCES和UBES時，如果被測晶體三極管的^FE小于或等于10，無法達到飽和狀態，則不能用上述方法進行測試。
在路檢測晶體三極管
在路不加電檢測。將萬用表置于RxlOfl或R×lfl,擋，測出晶體三極管各極的正、反向電阻值。以PNP型鍺管為例，若測得發射結正向電阻值在30fl左右、反向電阻值在數百歐以上，則說明該管發射結正常。
②測量基極與發射極之間的飽和壓降UBES。測試電路如圖3-53所示，對于PNP型晶體三極管，紅表筆接C測試點，黑表筆接B測試點，即可測出UBES；對于NPN型晶體三極管，黑表筆接C洌試點，紅表筆接B測試點，即可測出UBES。
在測量UCES和UBES時，如果被測晶體三極管的^FE小于或等于10，無法達到飽和狀態，則不能用上述方法進行測試。
在路檢測晶體三極管
在路不加電檢測。將萬用表置于RxlOfl或R×lfl,擋，測出晶體三極管各極的正、反向電阻值。以PNP型鍺管為例，若測得發射結正向電阻值在30fl左右、反向電阻值在數百歐以上，則說明該管發射結正常。
①測量集電極與發射極之間MPC6041T-I/OT的飽和壓降UCES。將萬用表置于直流10V電壓擋，然后按如圖3-53所示連接好電路（圖中，E為12V直流電源，Rl、R2分別為20fl/ SW、200n／0. 25W電阻）。測試條件，t．為600mA，，b為60mA。對于PNP型晶體三極管，將萬用表按圖3-53(a)所示連接，即可測出UCES；對于NPN型晶體三極管，將萬用表按圖3-53 (b)所示連接，即可測出UCES。
②測量基極與發射極之間的飽和壓降UBES。測試電路如圖3-53所示，對于PNP型晶體三極管，紅表筆接C測試點，黑表筆接B測試點，即可測出UBES；對于NPN型晶體三極管，黑表筆接C洌試點，紅表筆接B測試點，即可測出UBES。
在測量UCES和UBES時，如果被測晶體三極管的^FE小于或等于10，無法達到飽和狀態，則不能用上述方法進行測試。
在路檢測晶體三極管
在路不加電檢測。將萬用表置于RxlOfl或R×lfl,擋，測出晶體三極管各極的正、反向電阻值。以PNP型鍺管為例，若測得發射結正向電阻值在30fl左右、反向電阻值在數百歐以上，則說明該管發射結正常。
②測量基極與發射極之間的飽和壓降UBES。測試電路如圖3-53所示，對于PNP型晶體三極管，紅表筆接C測試點，黑表筆接B測試點，即可測出UBES；對于NPN型晶體三極管，黑表筆接C洌試點，紅表筆接B測試點，即可測出UBES。
在測量UCES和UBES時，如果被測晶體三極管的^FE小于或等于10，無法達到飽和狀態，則不能用上述方法進行測試。
在路檢測晶體三極管
在路不加電檢測。將萬用表置于RxlOfl或R×lfl,擋，測出晶體三極管各極的正、反向電阻值。以PNP型鍺管為例，若測得發射結正向電阻值在30fl左右、反向電阻值在數百歐以上，則說明該管發射結正常。
相關技術資料- 3-31測量大功率晶體三極管的飽和壓降
公網安備44030402000607
