根據陶瓷材料或成AFPX-E30RD分的不同，瓷介電容器可分為高頻瓷介電容器（CC型）和低頻瓷介電容器（CT型）兩類。
    (1) CC1型圓片形高頻瓷介電容器。
    CC1型圓片形瓷介電容器是最常見的一種瓷介電容器，其主要特點是：介質損耗低，溫度、頻率、電壓變化時電容量的穩定性較高。CC1型電容器常用于高頻電路、容量穩定的交直流電路和脈沖電路中。也可用于溫度補償電路中。
    (2) CT1型圓片形低頻瓷介電容器。
    CT1型瓷介電容器相對于CC1型來說，其損耗要高一些，但電容量較大，主要用于對損耗和電容量的穩定性要求不高的電路，可用來作為耦合或旁路電容。
    無機介質電容器主要參數見表2-9。

       
    表2-9    無機介質電容器主要參數
    玻璃釉介質電容器
    玻璃釉介質電容是以玻璃釉粉末為主要配制成分，高溫壓制成薄片，兩面涂覆金屬薄膜板加上引線后封裝而成，國內常用產品主要有CY系列。玻璃釉介質電容器結構外形如圖2-14所禾，其主要性能參數見表2-9。
    圖2-14玻璃釉介質電容器結構外形
    玻璃釉電容器與瓷介電容器、璃釉電容器體積要小一些。
    玻璃釉電容器的性能特點是：④體積小。云母電容器相比，玻璃釉介質的介電常數大，所以同數值的玻①抗潮濕性能好；②耐高溫性能好；③具有較好的高頻性能；