內建電場引起少CB1AF-P-12V子漂移、阻礙多子擴散。
    由于內建電場的方向由N區指向P區，在P區里靠近PN結附近的自由電子將被加速逆著電場向N區移動；而在N區里靠近PN結的空穴也被加速順著電場向P區移動，如圖4-7所示。我們稱載流子在電場作用下的定向移動為漂移運動。可見，內建電場的形成引起了少子的漂移運動；與此同時，建電場的形成將阻礙多子的繼續擴散。

          
    擴散運動和漂移運動的動態平衡。
    擴散運動首先形成空間電荷區，產生內建電場，內建電場又引起少子漂移，阻礙多子擴散。擴散與漂移不斷進行，且少子漂移運動逐漸增強，多子擴散運動逐漸減弱。當擴散電流與漂移電流相等時，將達到動態平衡，如圖4-8所示。此時，PN結的厚度不再發生變化，達到穩定。一般PN結的厚度很薄，其厚度約為幾微米至幾十微米。