絕緣柵極雙極EB2-6NU晶體管(IGBT)的輸入特性幾乎和MOSFET相同，所以用于MOSFET的驅動電路同樣可以用于IGBT。
    阻尼濾波和光電隔離驅動電路
    IGBT門極驅動電路如圖9-6所示。在用于驅動電動機的逆變器電路中，為使IGBT能夠穩工作，要求IGBT的驅動電路采用正負偏壓雙電源的工作方式。為了使門極驅動電路與信號電路隔離，應采用抗噪聲能力強、信號傳輸時間短的光耦合器件。門極和發射極的引線應盡量短，門極驅動電路的輸出線應為絞合線，其具體電路如圖9-6 (a)所示。為抑制輸入信號的振蕩現象，
在圖中的門源端并聯一阻尼網絡，即由1Q電阻和0.33 yF電容器組成阻尼濾波器。另外驅動電路的輸出級與IGBT輸入端之間的連接串有一只10Q,的門極電阻。

           
    圖9-6 (b)為采用光耦合器使信號電路與門極驅動電路進行隔離。驅動電路的輸出級采用互同時加速IGBT的關斷過程。
    如圖9-7所示為應用脈沖變壓器直接驅動IGBT的電路。電路中白控制脈沖形成單元產生的脈沖信號經晶體管VT進行功率放大后加到脈沖變壓器T，并由T隔離耦合經穩壓管VZ1、V22限幅后驅動IGBT。由于是電磁隔離方式，驅動級不需要專門的直流電源，簡化了電源結構，且工作頻率較高，可達lOOkHz左右。這種電路的缺點是由于漏感和集膚效應的存在，使繞組的繞制工藝復雜，并易于出現振蕩。