即使是射極跟隨器，在某些情況下，電流DM9000AEP增益還達不到要求。雙管的達林頓( Darlington)接法。這種接法將兩只管子有效地級聯起來，一只管子作為另一只管子的射極負載，如圖1.41所示。
    這兩只管子構成了一只復合管。復合管有：VBE=1.4V, hFE（總）=hFElxhFE2。如果能派上用場，可以將達林頓復合管用于替換所有電路形式中的單只晶體管。通常是用于功率放大器的輸出級或電源電路昀輸出級。市場上也有以單只管子封裝出現的達林頓管出售，但如果你用分立晶體管來做，通常花錢更少、效果更佳。

          
    關于雙極型晶體管的結構
    前面我們講到，雙極型晶體管的結構可視為發射極區與集電極區之間夾有基極區的三明治式。現在，對此作進一步研究，以便獲得更多有用的信息。
    當基極區變厚時，就使得電子從發射極區傳送至集電極區的過程中，更容易被基極區所捕獲。這些被捕獲的電子成為基極電流，流出基極引腳。因此，辦，E的大小與基極區的厚度成反比。
    如果晶體管的集電極電流大，它的基極電流必定是成比例的大。為了避免這樣的基極電流造成基極區熔化，基極區須做厚。由于基極區變厚又會造成hFE的減少，為此，所需的基極電流必須還要更大一些，這又要求基極區需做得更厚一些。所以，hFE的大小與集電極電流最大允許值的平方成反比；大電流晶體管有較小的hFE。
    結構上，晶體管的基極區將發射極區與集電極區隔離開來。為了防止基極區在電壓壓力下擊穿，耐壓高的晶體管必須要厚的基極區。因此，高壓晶體管的hFE較小。
    為了避免集電極區熔化，大電流晶體管還必須要有硅芯片面積相當大的集電極區——如此大的面積會使得集電極．基極電容增大。放大器件這個顯著的電容，會導致第2章講到的密勒效應(Miller effect)更突出。就這點而言，此刻我們可以說，大電流晶體管速度較慢。