在本征半導體中，由于載流子數量極少，SER2918H-682KL導電能力很弱，故其實用價值不大。如果在其中摻人某些微量雜質元素，就可以大大提高其導電能力，這種摻人了雜質元素的半導體稱為雜質半導體。按摻入的雜質不同，雜質半導體可分為兩類：N型半導體和P型半導體。
    在本征半導體硅（或鍺）中摻人微量V價元素（如磷、砷、銻等），就形成了N型半導體。其結構示意圖如圖1.1.3 (a)所示。雜質原子有5個價電子，其中4個將分別與相鄰硅（或鍺）原子的價電子組成共價鍵，多余一個價電子因只受原子的吸引作用，所以很容易掙脫雜質原子而成為自由電子，雜質原子則成為帶正電荷的離子，由于這個多余的價電子不在共價鍵中，因此，在成為自由電子時不會同時產生空穴。在室溫下，雜質原子都處于這種電離狀態，每個雜質原子產生一個自由電子，致使N型半導體中自由電子的數目顯著增加，例如：在本征硅中摻人百萬分之一的磷原子，在硅晶體中則會產生5×1022×10-6—5×l016個/cm一。個自由電子（硅的原子密度為5×1022個／CII1一3），而同時由本征激發產生的載流子濃庋僅為1.5×10如個／CITI-s。于是半導體中的自由電子數目多于空穴的數目，自由電子成為多數載流子，簡稱多子；空穴成為少數載流子，簡稱少子。這種主要靠自由電子導電的半導體稱為電子型半導體或N型半導體。

           
    在本征半導體硅（或鍺）中摻入微量Ⅲ價元素（如硼、鋁、銦），就形成了P型半導體。其結構示意圖如圖1.1.3(b)所示。在組成共價鍵時，每個雜質原子產生一個空穴。在室溫下，空穴能吸引鄰近的價電子來填補，雜質原子獲得電子變成了帶負電荷的離子。由于每個雜質原子都可向晶體提供一個空穴，但同時不會產生自由電子，于是半導體中的空穴數目多于自由電子的數目，空穴成為多數載流子，自由電子為少子。這種主要靠空穴導電的半導體稱為空穴型半導體或P型半導體。
    應該指出，在雜質半導體中，本征激發所產生的載流子濃度遠小于摻雜所帶來的載流子濃度。但是摻雜并沒有破壞半導體內正、負電荷的平衡狀態，它既沒有失去電子，也沒有獲得電子，仍呈電中性，對外是不帶電的。