當MOS管工作在恒流區時，UCC3913DTR管子的耗散功率主要消耗在漏極一端的夾斷區上，并且由于漏極所連接的區域（稱為漏區）不大，無法散發很多的熱量，所以MOS管不能承受較大功率。VMOS管從結構上較好地解決了散熱問題，故可制成大功率管，圖8-10所示為N溝道增強型VMOS管的結構示意圖。

    圖8-10 N溝道增強型VMOS管的結構示意圖

     VMOS以高摻雜N+區為襯底，上面外延低摻雜N區，共同作為漏區，引出漏極。在外延層N區上又形成一層P區，并在P區之上制成高摻雜的N+區。從上面俯視VMOS管P區與N+區，可以看到它們均為環狀區，所引出的電極為源極。中間是腐蝕而成的V型槽，其上生長一層絕緣層，并覆蓋一層金屬，作為柵極。VMOS管因存在V型槽而得名。

   在柵一源電壓Ucs大于開啟電壓UT時，在P區靠近V型槽氧化層表面所形成的反型層與下邊N區相接，形成垂直的導電溝道，見圖8-10所標注。當漏一源間外加正電壓時，自由電子將沿溝道從源極流向N型外延層、N+區襯底到漏極，形成從漏極到源極的電流fD。

   VMOS管的漏區散熱面積大，便于安裝散熱器，耗散功率最大可達千瓦以上；此外，其漏一源擊穿電壓高，上限工作頻率高，而且當漏極電流大于某值（如500mA）時，fD與Ucs基本呈線性關系。

     上述各類型場效應管以N溝道為例分析，應注意的是各類場效應管都有N溝道和P溝道。P溝道MOS場效應簪也可分為增強型和耗盡型兩種，它與N溝道場效應管的原理相同，只是在使用時，Ucs、UDS的極性與N溝道相反。

     應當指出，大部分MOS管襯底與源極相連，如果MOS管的襯底不與源極相連，則襯一源之間電壓UBS必須保證襯一源間的PN結反向偏置，因此，N溝道管的UBS應小于零，而P溝道管的UBS應大于零。此時導電溝道寬度將受UCS和UBS的雙重控制，UBS使開啟電壓或夾斷電壓的數值增大。比較而言，N溝道管受UBS的影響更大些。