如圖3. 61(a)所示，LM2576S-12在一個晶體里面用兩組P型半導體像三明治一樣夾住N型使之結合，或者如圖3. 62(a)所示，用N型夾住P型的NPN結合半導體就是晶體管（亦稱三極管）。可以認為晶體管就是由P+N+P，或者是由N+P+N構成的晶體。下面，我們以PNP結合

的半導體為例，分析一下晶體管的工作狀況。

接 如圖3. 61(b)所示，將C端（集電極）連接到電池的e極，B端（基極）連接到電池的O極，此時如同對二極管加上反向電壓一樣，形成耗盡層，因此電流不流通。

   在此狀態下如圖3. 61(c)所示，再準備一個電池，將其④極連接到E端（發射極）、O極連接到基極，此時E-B之間（可認為是二極管）外加了正向電壓，則與發射極相連的P型半導體中的空穴移動到N型區域的基極一側。同時，與基極相連N型半導體中電子則移動到P型區域的發射極一側。即基極一發射極之間流通電流。雖然從發射極流人的一部分空穴會與基極區域中的電子復合而消失，但是，由于基極區域的寬度很窄，多數的空穴穿過基極區域，進入P型區域的集電極部分。

  稅 在此重要的是，不可以認為穿過基極區域的空穴是被集電極端的O極所吸引而移動過來的。空穴流入基極部分是由于擴散這一物理現象所導致的。所謂擴散，如同其字面含義，是一種慢慢散開狀態的移動（可以用往水里滴入1滴墨水后逐漸染遍全體的現象作比喻）。因此與集電極端連接的e電壓的大小是無關的（圖3. 63）。當然從集電極會有電流流出，此時其電流的強度J。只比流入發射極端的電流強度IE稍弱一點。而且，即使改變集電極一基極之間的屯壓強度。也不發生變化。要改變Ic必須改變，表現出J。的變化與，。改變相關的性質。用曲線圖表示成圖3. 64。