ROM芯片的存儲單元結構和生產工藝雖然有所不同，但內部結構和RAM芯片的內部結構類似，AD5521JST主要由地址寄存囂、地址譯碼器、存儲陣列、碼的ROM芯片內部結構如圖2-10所示。

   掩膜ROM原理

   掩膜ROM的每一個基本存儲單元由MOS管的有無來決定。4x4MOS型掩膜ROM如圖2-11所示，在字線和位線交叉處有MOS管位存“0”，無MOS管位存“1”。兩位地址AiAo譯碼后產生4條字（選擇）線，每條字線選中一個存儲單元，每個存儲單元有4位，由D3～DO線輸出。例如，當AiAo=lOB時，由于位線D2和Do與字線交叉處的MOS管導通，輸出為0，D3和D1則與之相反，所以D3～DO=lOlOB。

   掩膜ROM的寫入是由廠家在生產過程的最后一道掩膜工藝時，根據用戶提出的存儲內容制作一塊決定MOS管連接方式的掩膜，然后把存儲內容制作在芯片上，因而制作后用戶絕對不能再更改所存入的信息。并且，由于掩膜的制作成本也很高，只有在大量生產定型的某種ROM產品時，才是經濟適用的。