等效電路
發布時間:2014/11/4 17:51:27 訪問次數:829
變磁阻式傳感器通常都具有線圈。將傳感器G40N60B3線圈等效成圖3-2所示的等效電路,并對電路參數進衍簡單討論。
【銅損電阻R。】取決于導線材料及線圈的幾何尺寸。
【渦流損耗電阻R。】由頻率為廠的交變電流激勵產生的交變磁場,會在線圈、鐵心中造成渦流及磁滯損耗。根據經典的渦流損耗計算公式可知,為降低渦流損耗,疊片式鐵心片的厚度應盡量薄;高電阻率有利于損耗的下降,而高磁導率卻會使渦流損耗增加。
【磁滯損耗電阻R。】鐵磁物質在交變磁化時,磁分子來回翻而要克服阻力,類似摩擦生熱的能量損耗。
【寄生電容C】主要由線圈的固有電容與電纜分布電容構成。
為便于分析,先不考慮寄生電容C和磁滯損耗電阻R,并將圖3-2中的線圈電感與渦流損耗電阻等效為串聯鐵損電阻R"與串聯電感L’的等效電路。這時R'e和L’的串聯阻抗與R。
變磁阻式傳感器通常都具有線圈。將傳感器G40N60B3線圈等效成圖3-2所示的等效電路,并對電路參數進衍簡單討論。
【銅損電阻R。】取決于導線材料及線圈的幾何尺寸。
【渦流損耗電阻R。】由頻率為廠的交變電流激勵產生的交變磁場,會在線圈、鐵心中造成渦流及磁滯損耗。根據經典的渦流損耗計算公式可知,為降低渦流損耗,疊片式鐵心片的厚度應盡量薄;高電阻率有利于損耗的下降,而高磁導率卻會使渦流損耗增加。
【磁滯損耗電阻R。】鐵磁物質在交變磁化時,磁分子來回翻而要克服阻力,類似摩擦生熱的能量損耗。
【寄生電容C】主要由線圈的固有電容與電纜分布電容構成。
為便于分析,先不考慮寄生電容C和磁滯損耗電阻R,并將圖3-2中的線圈電感與渦流損耗電阻等效為串聯鐵損電阻R"與串聯電感L’的等效電路。這時R'e和L’的串聯阻抗與R。
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