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電荷耦合器件

發布時間:2014/11/9 18:17:23 訪問次數:1198

   電荷耦合器件( Charge Couple Device,CCD)是一種金屬氧化物半導體(MOS)集成電路器件。ADS7844N它以電荷作為信號,基本功能是進行電荷的存儲和電荷的轉移。自1970年CCD問世以來,由于其噪聲低等特點而發展迅速,并廣泛應用于微光電視攝像、信息存儲和信息處理等方面。

   CCD原理構成CCD的基本單元是MOS電容器,如8-28所示。與其他電容器一樣,MOS電容器能夠存儲電荷。如果MOS電容器中的半導體是P型硅,當在金屬電極上施加一個正電壓時,在萁電極下形成耗盡層,由于電子在那里勢能較低,形成了電子的勢阱,成為蓄積電荷的場所,如圖8-29所示。CCD的最基本結構是一系列彼此靠得非常近的MOS電容器,這些電容器用同一半導體襯底制成,襯底上面覆蓋一層氧化層,并在其上制作許多金屬電極,各電極按三相(也有二相和四相)配線方式連接。

     


   電荷耦合器件( Charge Couple Device,CCD)是一種金屬氧化物半導體(MOS)集成電路器件。ADS7844N它以電荷作為信號,基本功能是進行電荷的存儲和電荷的轉移。自1970年CCD問世以來,由于其噪聲低等特點而發展迅速,并廣泛應用于微光電視攝像、信息存儲和信息處理等方面。

   CCD原理構成CCD的基本單元是MOS電容器,如8-28所示。與其他電容器一樣,MOS電容器能夠存儲電荷。如果MOS電容器中的半導體是P型硅,當在金屬電極上施加一個正電壓時,在萁電極下形成耗盡層,由于電子在那里勢能較低,形成了電子的勢阱,成為蓄積電荷的場所,如圖8-29所示。CCD的最基本結構是一系列彼此靠得非常近的MOS電容器,這些電容器用同一半導體襯底制成,襯底上面覆蓋一層氧化層,并在其上制作許多金屬電極,各電極按三相(也有二相和四相)配線方式連接。

     


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