光控晶閘管它是由光照射而觸發導通的晶閘管
發布時間:2014/12/1 19:18:44 訪問次數:981
光控晶閘管它是由光照射而觸發導通的晶閘管,通常又稱光控可控硅。
①光控晶閘管的結構 AD5317BRMZ10如圖5-20所示。
②工作原理 當陽極A接正電源、陰極K接負電源,Ji結和J3結處于正向,J2結處于反向。如用等效二極管VD表示J2結的反向漏電流ID,光控晶閘管的導通電流IA可由下式得到,即
當ID足夠大,可使a.+a2 =1,光控晶閘管進入導通狀態。當有光照射在發射區時,由于內光電效應,在光控晶閘管內部產生電子空穴對。在J2產生的電子空穴對中,空穴送往P區,而電子送往N區,使流過J2的反向電流ID增大,其增加量就是光電流h。當光照強度足夠大時,則IL的值就會使光控晶閘管導通,這就是光控晶閘管的工作原理。
③光控晶閘管的伏安特性 它與一般的晶閘管有同樣的伏安特性(圖5-21),不同的是光照度控制晶閘管的通斷。表5-3是3CTU83型光控晶閘管的技術參數。
光控晶閘管它是由光照射而觸發導通的晶閘管,通常又稱光控可控硅。
①光控晶閘管的結構 AD5317BRMZ10如圖5-20所示。
②工作原理 當陽極A接正電源、陰極K接負電源,Ji結和J3結處于正向,J2結處于反向。如用等效二極管VD表示J2結的反向漏電流ID,光控晶閘管的導通電流IA可由下式得到,即
當ID足夠大,可使a.+a2 =1,光控晶閘管進入導通狀態。當有光照射在發射區時,由于內光電效應,在光控晶閘管內部產生電子空穴對。在J2產生的電子空穴對中,空穴送往P區,而電子送往N區,使流過J2的反向電流ID增大,其增加量就是光電流h。當光照強度足夠大時,則IL的值就會使光控晶閘管導通,這就是光控晶閘管的工作原理。
③光控晶閘管的伏安特性 它與一般的晶閘管有同樣的伏安特性(圖5-21),不同的是光照度控制晶閘管的通斷。表5-3是3CTU83型光控晶閘管的技術參數。
上一篇:光敏三極管伏安特性
上一篇:光電傳感器的典型應用