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光控晶閘管它是由光照射而觸發導通的晶閘管

發布時間:2014/12/1 19:18:44 訪問次數:981

   光控晶閘管它是由光照射而觸發導通的晶閘管,通常又稱光控可控硅。

   ①光控晶閘管的結構  AD5317BRMZ10如圖5-20所示。

   ②工作原理  當陽極A接正電源、陰極K接負電源,Ji結和J3結處于正向,J2結處于反向。如用等效二極管VD表示J2結的反向漏電流ID,光控晶閘管的導通電流IA可由下式得到,即

      

   當ID足夠大,可使a.+a2 =1,光控晶閘管進入導通狀態。當有光照射在發射區時,由于內光電效應,在光控晶閘管內部產生電子空穴對。在J2產生的電子空穴對中,空穴送往P區,而電子送往N區,使流過J2的反向電流ID增大,其增加量就是光電流h。當光照強度足夠大時,則IL的值就會使光控晶閘管導通,這就是光控晶閘管的工作原理。

   ③光控晶閘管的伏安特性  它與一般的晶閘管有同樣的伏安特性(圖5-21),不同的是光照度控制晶閘管的通斷。表5-3是3CTU83型光控晶閘管的技術參數。

   光控晶閘管它是由光照射而觸發導通的晶閘管,通常又稱光控可控硅。

   ①光控晶閘管的結構  AD5317BRMZ10如圖5-20所示。

   ②工作原理  當陽極A接正電源、陰極K接負電源,Ji結和J3結處于正向,J2結處于反向。如用等效二極管VD表示J2結的反向漏電流ID,光控晶閘管的導通電流IA可由下式得到,即

      

   當ID足夠大,可使a.+a2 =1,光控晶閘管進入導通狀態。當有光照射在發射區時,由于內光電效應,在光控晶閘管內部產生電子空穴對。在J2產生的電子空穴對中,空穴送往P區,而電子送往N區,使流過J2的反向電流ID增大,其增加量就是光電流h。當光照強度足夠大時,則IL的值就會使光控晶閘管導通,這就是光控晶閘管的工作原理。

   ③光控晶閘管的伏安特性  它與一般的晶閘管有同樣的伏安特性(圖5-21),不同的是光照度控制晶閘管的通斷。表5-3是3CTU83型光控晶閘管的技術參數。

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