電磁屏蔽對低頻磁通干擾的屏蔽效果是很差的，因此當存在低頻磁通干擾時，AIC1747-18GU3TR要采用高導磁材料做屏蔽層，以便將干擾磁通限制在磁阻很小的磁屏蔽體的內部，防止其干擾作用。為了有效地進行低頻磁屏蔽，屏蔽層的材料要選用諸如坡莫合金之類對低磁通密度有高磁導率的鐵磁材料，同時要有一定的厚度，以減小磁阻。

   驅動屏蔽  驅動屏蔽就是用被屏蔽導體的電位，通過1:1電壓跟隨器來驅動屏蔽層導體的電位，其原理如圖9-54所示。若1:1電壓跟隨器是理想的，即在工作中導體B與屏蔽層C之間的絕緣電阻為無窮大，并且等電位，那么，在B導體之外與屏蔽層內側之間的空間無電力線，各點等電位。這說明，導體A噪聲源的電場影響不到導體B，這時，盡管導體B與屏蔽層C之間有寄生電容存在，但是，因B與C等電位，故此寄生電容也不起作用。因此，驅動屏蔽能有效地抑制通過寄生電容的耦合干擾。應指出的是，在驅

動屏蔽中所采用的1:1電壓跟隨器，不僅要求輸出電壓與輸入電壓的幅值相同，另一方面，此電壓跟隨囂的輸入阻抗與Z．相并聯，為減小并聯作用，則要求跟隨器的輸入阻抗無窮大。實際上，這些要求只能在一定程度上得到滿足。驅動屏蔽屬于有源屏蔽，只有當高質量的線性集成電路出現以后，這種屏蔽才達到了真正實用階段。