圖2 - 68 (a)為PNP晶體管內部結構示意圖，它由兩個背靠背的PN結構成，我們用b 7表示管子內部兩個PN結的連接點，以區別于基極引線端b。HAT2052T由于基區很薄并且摻雜少，因此從基區內部到管子外部就有一個不能忽略的體積電阻，用符號r“表示。在晶體管手冊

中往往用符號rb表示。

   如圖2 - 68所示電路中，當晶體管的集電極和發射極之間加電壓UCE時，則集電結的反向電壓很高，于是基區的少數載流子（空穴）和集電區的少數載流子（自由電子，以下簡稱電子）分別流向對方，這就形成了集電極反向飽和電流I(BO。

   這時因基極開路，I㈣，在基極回路沒有通路，于是由于基區失去空穴而又注入電子，使基區失去電中性，迫使基區電位下降，致使基極和發射極之間存在著電位差，這個電位差對發射結來說正好是正向電壓，U品，。這樣發射區便向基區發射空穴，其中一少部分空穴在基區中復合而形成基區復合電流矗，而絕大部分空穴被集電極收集形成I。

   根據晶體管放大原理則I一pl/。在基區復合的這部分空穴正好彌補由于ICB(，在基區所造成的電荷不平衡，從而滿足基區的電中性，所以E—J㈣，。這集電極的反向電流即為穿透電流，即ICEO一ICBO +prCBO一(i+p)，㈣）。所以ICEO>ICB()。

   如果基極與發射極短路，如圖2 - 68 (b)所示，則ICB()將被基極回路分出一部分電流Ib，如圖2- 68 (b)所示。

   因為ICBO在溫度不交的情況下是一個定值，因此分流以后剩下的部分就比圖2- 68 (a)中的瓦少了，設為髭但它仍會造成基區電位的下降，不過下降的程度比基極開路時小，也就是發射結正向電壓比基極開路時小得多了，因而這時集電極的反向電流ICES—ICBO十prL<ICEO但ICES>ICB()。

   根據前面的道理，如果基極與發射極接有電阻R，那么這時基極回路電阻變為R+rl“，自然會使基極回路對ICB(，的分流減小。當然ICER>ICES。因此綜合上述情況，集電極反向電流存在著ICBO<ICES<ICER<ICEO的關系。