場效應管也是晶體管的一種類型，它是根據A1733M-1物理學中的場效應原理制成的。場效應管的工作特性與普通晶體管相比有很大的不同，也有不少優點，如輸入阻抗高、動態范圍大、噪聲低、功耗小等。除此以外，場效應管比普通晶體管易于集成，因此，目前集成電路大部分采用場效應管的制作方法來生產。場效應管在電路圖中的畫法如圖3-9所示。

   圖3-9場效應管在電路圖中的畫法

   圖3-9中共有6種場效應管的符號，這6種場效應管可分為兩類，一類是結型場效應管；一類是MOS型場效應管。

   結型場效應管又分為N溝道型[圖(a)]和P溝道型[圖(b)]兩種。

   MOS型場效應管又稱為絕緣柵場效應管，這種管又分為兩類：一類為耗盡型[圖(c)、圖(d)]，另一類為增強型[圖(e)、圖(f)]。這兩類中的每一類又有兩種：一種為N溝道[圖(c)、圖(e)]；另一種為P溝道型[圖(d)、圖(f)]。

   場效應管有3個電極，柵極G，漏極D和源極S，分別相當于晶體管的基極B、集電極C和發射極E。