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MOSFET開關應用重要優值系數(FOM)為29.8mW*nC

發布時間:2021/6/6 7:37:04 訪問次數:2192

SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉換器、DC/DC轉換器、開關柜拓撲結構、OR-ring FET低邊開關,以及服務器、通信和RF設備電源的負載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓撲結構的性能,簡化設計人員兩種電路的器件選擇。

4.5 V條件下器件導通電阻為1.5 mW,而4.5V條件下導通電阻與柵極電荷乘積,即MOSFET開關應用重要優值系數(FOM)為29.8 mW*nC,是市場上優值系數最低的產品之一。

器件經過100 % RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

制造商: Microchip

產品種類: 電可擦除可編程只讀存儲器

RoHS:  詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8 Narrow

接口類型: 2-Wire, I2C

存儲容量: 1 kbit

組織: 128 x 8

電源電壓-最小: 1.7 V

電源電壓-最大: 3.6 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

最大時鐘頻率: 1 MHz

數據保留: 100 Year

電源電流—最大值: 1 mA

系列: AT24C01D

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

商標: Microchip Technology / Atmel

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 1.7 V to 3.6 V

產品類型: EEPROM

工廠包裝數量: 4000

子類別: Memory & Data Storage

單位重量: 540 mg

用于汽車的S-19914/5系列低EMI降壓開關穩壓器。

S-19914/5系列是一款低EMI降壓開關穩壓器,內置擴頻時鐘生成電路(*1),可減少集成電路(IC)產生的傳導噪音和輻射噪音。

產品可將傳導噪音降低到之前型號的1/3。S-19914/5系列采用業界最小的(*2) HSNT-8(2030)封裝(2.0×3.0×t0.5mm),有助于縮小攝像頭模塊的尺寸,并能滿足當前汽車設備的市場需求。

工作電壓為36V、輸出電流為1A的DC-DC轉換器。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)



SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉換器、DC/DC轉換器、開關柜拓撲結構、OR-ring FET低邊開關,以及服務器、通信和RF設備電源的負載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓撲結構的性能,簡化設計人員兩種電路的器件選擇。

4.5 V條件下器件導通電阻為1.5 mW,而4.5V條件下導通電阻與柵極電荷乘積,即MOSFET開關應用重要優值系數(FOM)為29.8 mW*nC,是市場上優值系數最低的產品之一。

器件經過100 % RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

制造商: Microchip

產品種類: 電可擦除可編程只讀存儲器

RoHS:  詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8 Narrow

接口類型: 2-Wire, I2C

存儲容量: 1 kbit

組織: 128 x 8

電源電壓-最小: 1.7 V

電源電壓-最大: 3.6 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

最大時鐘頻率: 1 MHz

數據保留: 100 Year

電源電流—最大值: 1 mA

系列: AT24C01D

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

商標: Microchip Technology / Atmel

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 1.7 V to 3.6 V

產品類型: EEPROM

工廠包裝數量: 4000

子類別: Memory & Data Storage

單位重量: 540 mg

用于汽車的S-19914/5系列低EMI降壓開關穩壓器。

S-19914/5系列是一款低EMI降壓開關穩壓器,內置擴頻時鐘生成電路(*1),可減少集成電路(IC)產生的傳導噪音和輻射噪音。

產品可將傳導噪音降低到之前型號的1/3。S-19914/5系列采用業界最小的(*2) HSNT-8(2030)封裝(2.0×3.0×t0.5mm),有助于縮小攝像頭模塊的尺寸,并能滿足當前汽車設備的市場需求。

工作電壓為36V、輸出電流為1A的DC-DC轉換器。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)



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