多功能新型30 V n溝道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。

通過調整振蕩頻率以抑制特定頻率（如2.2MHz或以上）產生的噪音波峰的技術。

Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mmPowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻僅為0.95 mW，比上一代產品低5 %。

SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%，從而降低導通和開關損耗，節省功率轉換應用的能源。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 隔離放大器

RoHS:  詳細信息

系列: AMC1200-Q1

通道數量: 1 Channel

絕緣電壓: 4000 Vrms

隔離類型: Galvanic

GBP-增益帶寬產品: -

3dB帶寬: 100 kHz

CMRR - 共模抑制比: 108 dB

Vos - 輸入偏置電壓 : 200 uV

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 2.7 V, 4.5 V

工作電源電流: 5.4 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 105 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOP-8

資格: AEC-Q100

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

放大器類型: Isolation

特點: Typical 10 year lifespan at rated working voltage

輸出類型: Differential

產品: Isolation Amplifiers

類型: Fully Differential Isolation Amplifier

商標: Texas Instruments

輸入電壓范圍—最大: +/- 320 mV

關閉: No Shutdown

增益誤差: 0.075 %

增益V/V: 8 V/V

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 2.7 V to 5.5 V

每個通道的輸出電流: 20 mA

Pd-功率耗散: 44 mW

產品類型: Isolation Amplifiers

PSRR - 電源抑制比: 61 dB

SR - 轉換速率 : -

工廠包裝數量: 350

子類別: Amplifier ICs

單位重量: 851 mg

主要特點

傳導噪音降低至1/3

業界最小的尺寸等級，采用超小型HSNT-8(2030)（2.0×3.0×t0.5mm）封裝

快速瞬態響應

PWM控制，PWM/PFM控制可供選擇

低紋波

輸入電壓36V / 額定電壓45V

應用場景

車載攝像頭模塊

車載用途（發動機、變速器、懸架、ABS、EV/HEV/PHEV及其他設備應用）

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）