圖形化工藝是要在晶圓內和表面層建立圖形的一系列加工，這些圖形根據集成電路中物理“部件”（器件）的要求來確定其尺寸和位置。OTI002169S-G這一章介紹f‘步基本圖形化工藝流程的前4步，并討論光刻膠的化學性質。

   圖形化工藝還包括光刻( Photolithography)、光掩模(Photomasking)、掩模(Masking)、去除氧化膜( Oxide Removal，OR)、去除金屬膜(Metal Removal，MR)和微光刻(Microlithography)、，圖形化工藝是半導體工藝過程中最重要的工序之一，它是用來在不同的器件和電路表面仁建立圖形的工藝過程。這個工藝過程的目標有兩個：

   1．在晶圓中和表面上產生圖形，這些圖形的尺寸在集成電路或器件設計階段建立（見圖8.1）．，

   2．將電路圖形相對于晶圓的晶向及以所有層的部分對準的方式，正確地定位于晶圓上（見圖8.2）。

   圖8.1基本圖形化工藝    圖8.2 5層掩模的硅柵晶體管

   除了兩個結果外，有許多工藝變化。或者限定晶圓表面層被去除部分（孔），或者限定晶圓表面層留下部分（島），如圖8.1所示。

   正確的放置彼稱為各種電路圖形的對準( Alignment)或注冊(Registration)。一種集成電路工藝要求40個以上獨立的光刻（或掩模）步驟。圖形定位的要求就好像是一幢建筑物每一層之間所要求的正確對準。很容易想象，如果建筑物每一層和每一層不能很好地對準，那么它會對電梯以及樓梯帶來什么樣的影響。在一個電路中，如果每層和它的上一層不能很好地對準叮能會導致整個電路的失效。

   此外，光刻工藝必須控制所要求的尺寸和缺陷水平。給出在每次圖形化操作中的步驟數和掩模層數，掩模工藝是主要的缺陷來源。在圖形化【藝中每個掩模步驟貢獻不同。圖形化藝是一個折中和權衡的過程.