晶體管 IXFN82N60P MOSFET - 單

晶體管 IXFN82N60P MOSFET - 單屬性

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晶體管 IXFN82N60P MOSFET - 單描述

IXFN82N60P介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 24 周
詳細描述 底座安裝 N 溝道 600V 72A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 PolarHV™
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 72A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 75 毫歐 @ 41A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 240nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1040W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 底座安裝
供應商器件封裝 SOT-227B
封裝/外殼 SOT-227-4，miniBLOC
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為了提高單電子晶體管的工作溫度，必須使量子點的尺寸小于10納米，目前世界各實驗室都在想各種辦法解決這個問題。有些實驗室宣稱已制出室溫下工作的單電子晶體管，觀察到由電子輸運形成的臺階型電流——電壓曲線，但離實用還有相當的距離。

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