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晶體管 AOV20S60 MOSFET

晶體管 AOV20S60    MOSFET產品圖片
  • 發布時間:2019/7/9 14:58:36
  • 所屬類別:其他未分類 » 其他未分類
  • 公    司:安富微(深圳)商貿有限公司

晶體管 AOV20S60 MOSFET屬性

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晶體管 AOV20S60 MOSFET描述

AOV20S60介紹:
描述 MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 3(168 小時)
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 600V 3.6A(Ta),18A(Tc) 8.3W(Ta),278W(Tc) 4-DFN-EP(8x8)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 aMOS™
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 3.6A(Ta),18A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 250 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1038pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 8.3W(Ta),278W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 4-DFN-EP(8x8)
封裝/外殼 4-PowerTSFN
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當一個夠大的電位差施于金氧半場效晶體管的柵極與源極之間時,電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷,而這時就會形成所謂的“反轉溝道”(inversion channel)。


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