晶體管 IXYH30N120C3 UGBT-MOSFET

晶體管 IXYH30N120C3 UGBT-MOSFET屬性

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晶體管 IXYH30N120C3 UGBT-MOSFET描述

IXYH30N120C3介紹：
描述 IGBT 1200V 75A 500W TO247
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 24 周
詳細描述 IGBT 1200V 75A 500W Through Hole TO-247 (IXYH)
類別 分立半導體產品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 GenX3™，XPT™
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零件狀態 在售
IGBT 類型 -
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 75A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 145A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 3.3V @ 15V，30A
功率 - 最大值 500W
開關能量 2.6mJ（開），1.1mJ（關）
輸入類型 標準
柵極電荷 69nC
25°C 時 Td（開/關）值 19ns/130ns
測試條件 600V，30A，10 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應商器件封裝 TO-247（IXYH）
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雖然數以百萬計的單體晶體管還在使用，但是絕大多數的晶體管是和電阻、電容一起被裝配在微芯片（芯片）上以制造完整的電路。模擬的或數字的或者這兩者被集成在同一塊芯片上。

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