晶體管 TN2124K1-G 半導體產品
晶體管 TN2124K1-G 半導體產品屬性
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晶體管 TN2124K1-G 半導體產品描述
TN2124K1-G介紹:
描述 MOSFET N-CH 240V 0.134A SOT23-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 240V 134mA(Tj) 360mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 240V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 134mA(Tj)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 3V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 15 歐姆 @ 120mA,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 360mW(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-236AB(SOT23)
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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直到電壓增大到能引起一個電子電荷的變化時,才有電流通過。因此電流-電壓關系不是通常的直線關系,而是臺階形的。這個實驗在歷史上第一次實現了用人工控制一個電子的運動,為制造單電子晶體管提供了實驗依據。
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