SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3屬性

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SI2369DS-T1-GE3描述

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制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 7.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 29 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 11.4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 6 ns
高度: 1.45 mm
長度: 2.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 4 ns
系列: SI2
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 38 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
寬度: 1.6 mm
零件號別名: SI2369DS-T1-BE3
單位重量: 8 mg

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