SIHH070N60EF-T1GE3

SIHH070N60EF-T1GE3屬性

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SIHH070N60EF-T1GE3描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-8 x 8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 36 A
Rds On-漏源導通電阻: 71 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 50 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 202 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 38 ns
正向跨導 - 最小值: 10.5 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 79 ns
系列: EF
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 55 ns
典型接通延遲時間: 36 ns
單位重量: 50 mg

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