SI8483DB-T2-E1

SI8483DB-T2-E1屬性

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SI8483DB-T2-E1描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: MicroFoot-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 12 V
Id-連續漏極電流: 16 A
Rds On-漏源導通電阻: 22 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV
Qg-柵極電荷: 65 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 13 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 10 ns
正向跨導 - 最小值: 10 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns
系列: SI8
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
單位重量: 128.380 mg

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