SIA931DJ-T1-GE3

SIA931DJ-T1-GE3屬性

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SIA931DJ-T1-GE3描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-70-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 4.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 65 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 13 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 7.8 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降時間: 5 ns
正向跨導 - 最小值: 8 S
高度: 0.75 mm
長度: 2.05 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
系列: SIA
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 P-Channel
典型關閉延遲時間: 17 ns
典型接通延遲時間: 23 ns
寬度: 2.05 mm

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