從國內外半導體照明功率型led芯片技術的發展現狀來看，薄膜結構芯片憑借其一
系列優越性將會是未來照明級led芯片技術發展的必然趨勢。也就是說，照明級led芯片結構的發展將經歷一個“正裝結構一倒裝結構一薄膜結構”的技術演變。表3-10列舉了
傳統結構芯片與薄膜結構芯片的特點對比，從表中可以看出薄膜結構芯片在發光效率、散
熱性和可集成性等方面有著傳統芯片所不能比擬的優越性，這也是國際大廠爭相布局和研
發的初衷。lumileds、cree和osram三家國際大廠推出了全新薄膜結構產品，其中cree
的ezbright系列的封裝白光器件可以達到186 im/w的發光效率，為目前世界范圍內有報
道的最佳水平。
表3-10傳統結構芯片與薄膜結構芯片的特點對比
┏━━━━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━┳━━━━━━━━┳━━━━━━━┓
┃    廠  商    ┃    產品特點                ┃    量  產      ┃    研  發    ┃
┣━━━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━━┫
┃    nlchia    ┃正裝、pss                   ┃  90～loolm/w   ┃    145 im/w  ┃
┣━━━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━━┫
┃    cree      ┃ sic生產襯底、垂直、si襯底  ┃100 ~120  im/w  ┃    186 im/w  ┃
┣━━━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━━┫
┃    lumjleds  ┃薄膜倒裝結構( tffc)         ┃90~110 im/w     ┃    140 im/w  ┃
┣━━━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━━┫
┃    osram     ┃垂直、si襯底                ┃loo~llolm/w     ┃    136 im/w  ┃
┣━━━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━━┫
┃    semjleds  ┃垂直、銅合金襯底            ┃    80—90 im/w ┃    120 im/w  ┃
┣━━━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━━┫
┃    epistar   ┃正裝、pss                   ┃90~100 im/w     ┃    120 im/w  ┃
┗━━━━━━━┻━━━━━━━━━━━━━━┻━━━━━━━━┻━━━━━━━┛
    半導體照明led芯片技術是一個涉及理論設計、外延和芯片工藝的系統化技術，除
了薄膜芯片技術之外，當前世界范圍內針對照明級led芯片技術的開發，主要可以歸結
為以下一些技術路線。
    (1)非極性襯底、半極性襯底的外延材料生長。
    (2)量子點、量子線有源層設計和外延生長。
    (3)光子晶體、準光子晶體應用于芯片取光技術。
    (4)交流電發光二極管(ac-led)。