數據列表 MCIMX6(Q,D)y(D,E)yyyyC Datasheet
I.MX 6 Series Fact Sheet
產品相片 i.max 6D SERIES
產品培訓模塊 i.MX 6 Series Applications Processors Introduction
PCN 設計/規格 I.MX 6DUAL6QUAD Update 04/Jun/2013
I.MX 6Dual/6Quad Errata Update 11/Dec/2013
I.MX6DQ Rev 1.3 Errata Revision 28/Jan/2014
I.MX6 Datasheet Update 01/May/2014
Reference Manual Update 01/Aug/2014
Design Change 01/Aug/2014
PCN 組件/產地 i.MX6Q/D Assembly Site 24/Jan/2014
標準包裝 ? 120
類別 集成電路 (IC)
家庭 嵌入式 - 微處理器
系列 i.MX6D
包裝 ? 托盤 ?
核心處理器 ARM® Cortex®-A9
核數/總線寬度 2 코어， 32 位
速度 1.0GHz
協處理器/DSP 多媒體; NEON™ SIMD
RAM 控制器 LPDDR2， LVDDR3， DDR3
圖形加速 是
顯示與接口控制器 小鍵盤， LCD
以太網 10/100/1000 Mbps（1）
SATA SATA 3Gbps （1）
USB USB 2.0 + PHY（4）
電壓 - I/O 1.8V，2.5V，2.8V，3.3V
工作溫度 -20°C ~ 105°C
安全特性 ARM TZ，啟動安全，密碼技術，RTIC，安全保險絲盒，安全 JTAG，安全存儲器，安全 RTC，篡改檢測
封裝/外殼 624-FBGA， FCBGA
供應商器件封裝 624-FCBGA （21x21）
附加接口 CAN，I2C，I2S，MMC/SD/SDIO，SAI，SPI，SSI，UART
日經BP社報道】意法半導體于2014年11月27日發布了降低了導通電阻的650V耐壓超結功率MOSFET“MDmesh M2系列”（英文發布資料）。新產品的特點是，導通電阻（RDS（ON））比該公司原產品更低，同時柵漏間電荷（QGD）、輸入電容（Ciss）和輸出電容（Coss）也更低。該系列有最大漏極電流不同的22款產品，最大漏極電流的范圍為4～11A。最低導通電阻為0.360Ω（柵源間電壓為+10V時的最大值）。新產品主要面向筆記本電腦、打印機、家用游戲機、液晶電視等內置的開關電源以及LED照明器具的驅動電路等。
新產品中，最大漏極電流（25℃、連續時）MCIMX6D5EYM10AC為4A的“STD6N65M2”的特性為：柵源間電壓為+10V時的導通電阻為1.35Ω（最大值），柵極總電荷（QG）為9.8nC（標稱值），柵漏間電荷（QGD）為4nC（標稱值），輸入容量（Ciss）為226pF（標稱值），輸出容量（Coss）為12.8pF（標稱值），反饋電容為0.65pF（標稱值），柵極電阻為6.5Ω，導通時的延遲時間為19ns（標稱值）、關斷時為6.5ns（標稱值），上升時間為7ns（標稱值）、下降時間為20ns（標稱值）。封裝有D2PAK和DPAK兩種。工作接合部溫度范圍為-55～+150℃。在美國市場，批量購買1000個D2PAK封裝產品時的參考單價為0.92美元起。
所有22款產品的D2PAK封裝品和DPAK封裝品現已開始量產。此外，采用“PowerFLAT 5x6 HV”封裝的產品預定在2015年第一季度投放市場。
