2SC593900L 資料
數據列表
2SC5939 Datasheet;
標準包裝
2SC593900LTR-ND;part_id=972133;ref_supplier_id=10;ref_page_event=Standard Packaging" />
10,000
包裝
標準卷帶
類別
分立半導體產品
產品族
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單
系列
-
其它名稱
2SC593900LTR
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
50mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
10V
不同Ib，Ic 時的Vce 飽和值（最大值）
500mV @ 4mA，20mA
電流 - 集電極截止（最大值）
1μA（ICBO）
不同Ic，Vce時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
75 @ 5mA，4V
功率 - 最大值
100mW
頻率 - 躍遷
2.7GHz
工作溫度
125°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-723
供應商器件封裝
SSS迷你型3-F1
據外媒報道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應晶體管(FinFET)制程工
藝相關的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學技術院(KAIST)計劃對三
星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱，他們開發了10
納米FinFET工藝，但是三星竊取了這項技術，并將其用于生產高通驍
龍835芯片。
2SC593900L進口原裝回收原裝庫存
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KAIST表示，三星是在邀請FinFET技術開發者、首爾大學教授李鐘浩
(Lee Jong-ho)向公司工程師展示FinFET技術原理時盜取了這項技術。
李鐘浩是KAIST合伙人之一。
三星在分文未花的情況下盜取了李鐘浩的發明，從而削減了開發時間
和成本。隨后，三星在沒有取得授權或支付適當賠償金的情況下繼續
使用李鐘浩的發明，”KAIST稱。
KAIST表示，英特爾已意識到他們才是FinFET技術的真正開發者，并
取得了授權使用這項技術，但是三星并未這么做。KAIST還認為高通、
臺積電也侵犯了FinFET技術專利。
2SC593900L進口原裝回收原裝庫存
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