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發布時間：12-0507:36四川日報網絡傳媒發展有限公司四川在線消息(記者 李寰)國際著名半導體器件物理學家、微電子學家，中國科學院院士，IEEE Life Fellow，九三學社社員，電子科技大學教授陳星弼先生，因病醫治無效，于2019年12月4日17時10分在成都逝世，享年89歲。
因對我國功率半導體領域的突出貢獻，陳星弼先生于1999年當選為中國科學院院士。因對高壓功率MOSFET理論與設計的卓越貢獻，他于2015年5月獲得IEEE ISPSD大會頒發的最高榮譽“國際功率半導體先驅獎”，成為亞太地區首位獲此殊榮的科學家。2018年5月，因發明的超結器件成為國內首位入選IEEE ISPSD首屆全球32位名人堂的科學家。
陳星弼先生1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江省金華市浦江縣。1952年畢業于同濟大學電機系。畢業后在廈門大學電機系、南京工學院(現東南大學)無線電系擔任助教。1956年到成都電訊工程學院(現電子科技大學)任教。1983年任成都電訊工程學院微電子科學與工程系系主任、微電子研究所所長。曾先后在美國俄亥俄大學、加州大學伯克利分校、加拿大多倫多大學作訪問學者。
陳星弼先生是我國第一批學習及從事半導體科技的人員之一，是電子工業部“半導體器件與微電子學”專業第一個博士生導師。他是國際著名的半導體器件物理學家、微電子學家，是國際半導體界著名的超結結構(Super Junction)的發明人，也是國際上功率器件的結終端理論的集大成者。
陳星弼先生于上世紀五十年代末，在國際上最早對漂移晶體管的存貯時間問題作了系統的理論分析。七十年代，他在我國率先制造硅靶攝像管。八十年代以來，從事功率半導體器件的理論與結構創新方面的研究。在中國首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件，并第一個提出了各種終端技術的物理解釋及解析理論。上世紀八十年代末他提出了兩種新的耐壓層結構，并作了唯一的三維電場分析。其中超結結構打破了傳統功率器件的硅極限，被國際學術界稱為“功率器件的新里程碑”。
2000年以后，陳星弼先生的其它重要發明還包括高K電介質耐壓結構、高速IGBT、兩種多數載流子導電的器件等。他發表超過200篇學術論文和獲得授權中美等國發明專利40余項，其中著名的超結發明專利US 5216275被國際專利他引超過550次，并授權給國際主流半導體公司。他主持完成國家自然科學基金重點項目、軍事研究項目、國家“八五”科技攻關項目多項。獲國家技術發明獎及國家科技進步獎2項，省部級獎勵13項。曾任電子工業部第十三所專用集成電路國家級重點實驗室學術委員會主任委員、四川省科學技術顧問團顧問等。
【中國功率半導體器件領路人】
陳星弼與半導體結緣于1958年。當年，在中國科學院進修的陳星弼被漂移晶體管吸引住了，當時他被指派去為計算機做半導體器件的測試。他以一個科研工作者的天賦，敏感地意識到這一領域具有極大的研究價值和發展潛能。不久，他寫了第一篇論文《關于半導體漂移三極管在飽和區工作時的儲存時間問題》，這篇論文被美國斯坦福大學教授畢列卡于1967年在《晶體管的電特性》中引用，日本管野卓雄教授在陳星弼發表論文4年后才發表了相關問題的論文。第一篇論文就大獲成功是陳星弼沒有想到的，但是這份成功卻無形中讓陳星弼對未來的科研之路充滿了信心和憧憬。
真正讓陳星弼走進世界舞臺對中央，是因為他對“第二次電子革命”對的貢獻。20世紀90年代初，行業內專家認為，陳星弼的幾項發明成為第二次電子革命的突破口，這一創新在十年內將無人能突破。
在這背后，陳星弼的付出是巨大的。
要讓功率管實現對電能的控制，主要的方法是開關。要想實現對開關的自由控制，就要實現開關的高靈敏、智能化。但是，功率管要求耐高電壓而集成電路只能耐低電壓。國外不得不把功率管和集成電路“隔離”開來，耗費巨大成本，還“費力不討好”。陳星弼決心啃下這塊硬骨頭，要讓儀器不僅有了一個“聰明的大腦”，還能做到“四肢發達”，讓做開關的功率管能夠輕松地直接連到集成電路上。經過多年的試驗，陳星弼通過改變功率管的結構，發明了復合緩沖耐壓結構，現稱為超結器件，它的優點是導通電阻低，易驅動，速度快。該技術已經獲得美國和中國發明專利。自1998年起，國外已有8家公司在制造。這個方法的工藝被改進后，成本大大下降，目前已成為一種重要產品，科技成果轉化市場規模每年超過10億美元。
(圖片來源電子科技大學官網)
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