描述：STW9NK90Z
SuperMESH™系列可通過以下方式獲得：意法半導體（STMicroelectronics）完善的基于條帶的PowerMESH™布局的優化。 在
除了顯著提高導通電阻
較低，還可以確保非常好的dv / dt功能
適用于最苛刻的應用。 這個系列
補充ST的全系列高壓電源
MOSFET。
特征：STW9NK90Z
■極高的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■柵極電荷最小化
■切換應用
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 900 V
Id-連續漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.3 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Qg-柵極電荷: 72 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 160 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
封裝: Tube
配置: Single
高度: 20.15 mm
長度: 15.75 mm
系列: STW9NK90Z
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 5.15 mm
商標: STMicroelectronics
下降時間: 28 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
工廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 55 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
單位重量: 38 g
