描述：STW20N95K5

這些超高壓N通道電源
MOSFET使用MDmesh™K5設計
基于創新專有技術的技術
垂直結構。 結果是戲劇性的
降低導通電阻和超低柵極
為需要更高功率的應用程序充電
密度高，效率高。


特征：STW20N95K5
最大訂購號VDS RDS（on） ID PTOT
STB20N95K5
950 V 0.330Ω17.5安
250瓦
STF20N95K5 40瓦
STP20N95K5
250瓦
STW20N95K5
業界最低的RDS（on）x面積
業界最佳的FoM（績效指標）
超低柵極電荷
經過100％雪崩測試

齊納保護

應用領域：STW20N95K5

切換應用

STW20N95K5

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 950 V
Id-連續漏極電流: 17.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 330 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Qg-柵極電荷: 40 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商標名: MDmesh
封裝: Tube
配置: Single
系列: STW20N95K5
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
單位重量: 330 mg