描述：STW11NK100Z

SuperMESH™系列可通過以下方式獲得：
對ST的完善進行了徹底的優化
基于條帶的PowerMESH™布局。 此外
大大降低導通電阻，特別
注意確保非常好的dv / dt
最苛刻的應用程序的功能。
這樣的系列補充了ST全系列的高
包括革命性的高壓MOSFET

MDmesh™產品。

應用領域：STW11NK100Z
■切換應用


一般特征：STW11NK100Z
■極高的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■柵極電荷最小化
■極低的固有電容

■極好的制造重復性

STW11NK100Z

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續漏極電流: 8.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.38 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 113 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 230 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
封裝: Tube
配置: Single
高度: 20.15 mm
長度: 15.75 mm
系列: STW11NK100Z
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
類型: MOSFET
寬度: 5.15 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 9 S
下降時間: 55 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
工廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 98 ns
典型接通延遲時間: 27 ns
單位重量: 38 g