描述：STW6N120K3

這些SuperMESH3™功率MOSFET是
應用于改進的結果
意法半導體的SuperMESH™技術，
結合了新的優化垂直結構。
這些器件具有極低的導通電阻，出色的動態性能和
高雪崩能力，使其適合
適用于最苛刻的應用


特征：STW6N120K3
■經過100％雪崩測試
■超大雪崩性能
■柵極電荷最小化
■極低的固有電容

■齊納保護

應用領域：STW6N120K3

■切換應用

STW6N120K3

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.4 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Qg-柵極電荷: 34 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
系列: STW6N120K3
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: STMicroelectronics
下降時間: 32 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
工廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 58 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
單位重量: 38 g