描述：IRFH5020TRPBF
采用5mm X 6mm PQFN封裝的200V單N溝道HEXFET功率MOSFET


好處：IRFH5020TRPBF
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
正常水平：針對10 V柵極驅動電壓優化
工業標準表面貼裝電源套件

IRFH5020TRPBF

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PQFN-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 34 A
Rds On-漏源導通電阻: 55 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 11 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.6 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.83 mm
長度: 6 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5 mm
商標: Infineon / IR
下降時間: 6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 7.7 ns
工廠包裝數量: 4000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 21 ns
典型接通延遲時間: 9.3 ns
單位重量: 295 mg