描述：NDS332P

NDS332P：P邏輯邏輯增強型模式場效應晶體管
這些密度非常高的工藝是專為替代地降低通態電阻而定制的。這些器件特別適合筆記本電腦電源管理，便攜電子產品及其他電池供電電路等低電壓應用，此類應用需要在很小尺寸的表面貼裝封裝中實現快速高端開關和低線內功率損耗。

特性：NDS332P
-1 A，-20 V，RDS（ON）=0.41Ω@ VGS = -2.7 V，RDS（ON）= 0.3Ω@ VGS = -4.5 V.
電壓驅動可以要求極低，從而可在3V電路中直接運行。VGS（th）<1.0V。
專有封裝設計使用銅引線框架，可提供出色的熱和電氣能力。
高密度單元設計，可實現極低的RDS（ON）。
出色的導通阻抗和最大的DC電流能力。
緊湊型工業標準SOT-23表面貼裝封裝。

應用：NDS332P
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用

制造商:NDS332P
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
1 A
Rds On-漏源導通電阻:
350 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW (1/2 W)
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.12 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
NDS332P
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.4 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
下降時間:
30 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
30 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
25 ns
典型接通延遲時間:
8 ns
零件號別名:
NDS332P_NL
單位重量:
36 mg